三星電子在NAND Flash先進製程佈局上展現積極態勢，已完成其中國西安工廠第一階段製程轉換，將主力產品從128層全面升級至236層的第8代NAND（V8），並正式進入量產階段。此舉不僅大幅提升儲存密度與成本效益，更規劃於今年內導入286層第9代NAND（V9），以強化其在全球NAND Flash市場的競爭力，尤其在AI基礎設施對高階儲存需求日益增長之際。

事實陳述：三星西安廠NAND Flash製程全面升級

根據業界消息，三星電子已於中國西安工廠成功完成其NAND Flash製程的重大升級。自2024年啟動製程轉換以來，該廠已全面停止128層第6代（V6）產品的生產，正式邁入200層以上NAND的嶄新世代。目前，西安工廠的主力產品已轉換為236層的第8代NAND（V8），並已進入穩定量產。這項技術躍進，意味著單位晶片的儲存能力與成本結構獲得顯著優化，因為NAND Flash採用3D堆疊結構，層數越高，其儲存密度與容量便能同步提升。此外，三星電子更計畫在今年內，於西安工廠導入技術更為先進的286層第9代NAND（V9）製程，進一步鞏固其技術領先地位。

各方反應與業界觀點：競爭態勢與策略佈局

面對全球NAND Flash市場的激烈競爭，三星電子加速製程轉換的策略，被業界視為其鞏固市場地位的關鍵一步。值得注意的是，中國主要的NAND製造商長江存儲，其先進製程已推進至294層並進入量產，這使得100層級的產品在市場上逐漸失去競爭優勢。業界普遍認為，三星此舉亦與當前美中科技限制的背景息息相關，在全球先進設備取得不確定性增高的情況下，提前完成產線升級，有助於確保其在關鍵技術領域的領先地位。同時，隨著全球對AI基礎設施投資的持續擴大，對於高性能、高容量的高階儲存需求也日益成長，特別是企業級固態硬碟（eSSD）對先進NAND的依賴程度顯著提升。為此，三星也規劃將西安第二工廠（X2）導入286層V9製程，全面強化次世代產品的產能佈局，以滿足市場對高性能儲存的龐大需求。

背景補充與後續觀察：全球佈局與未來展望

目前，三星位於中國的西安工廠約佔其全球NAND總產量的四成，顯示其在全球NAND供應鏈中的重要性。隨著236層V8與未來286層V9產能的持續擴大，三星先進製程產品在整體NAND產量中的比重將進一步提升。業界亦預期，三星電子將加速推進400層以上第10代NAND（V10）的開發，以維持其技術領先優勢。截至目前，三星已在韓國平澤廠區佈局V9的量產，並同步展開V10的技術準備工作。這顯示三星正透過全球多點佈局，持續強化其NAND Flash的技術研發與產能實力，以因應未來市場的挑戰與機遇。

常見問題

問：三星西安NAND Flash工廠目前最新的製程進展為何？

答：三星電子位於中國西安的NAND Flash工廠已完成製程轉換，目前236層第8代NAND（V8）已進入量產。此外，該廠更計畫於今年內導入技術更為先進的286層第9代NAND（V9）。

問：為何三星電子需要加速NAND Flash製程的升級？

答：三星加速NAND Flash製程升級主要有兩大原因：一是應對來自競爭對手（如長江存儲）的技術追趕，確保市場領先地位；二是因應全球AI基礎設施投資擴大所帶來的高階儲存需求，特別是企業級SSD（eSSD）對高性能NAND的高度依賴。同時，美中科技限制也促使三星提前佈局，確保技術自主性。