近期市場傳出台達電與功率半導體大廠英飛凌進一步深化合作，雙方的合作範圍有望擴展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，這一消息引起了市場對於台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施布局的高度關注。

碳化矽：新一代電力基礎設施的核心

隨著 AI 資料中心機櫃功率的不斷攀升，800 V 高壓直流（HVDC）逐漸成為新一代供電架構的發展方向。未來，這一架構還將朝向固態變壓器（SST）演進。相比傳統矽（Si）功率元件，碳化矽具備耐高壓、高效率及低損耗等特性，能夠顯著提升中高壓電力轉換效率，因此被視為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一。

碳化矽的這些優勢使其成為支撐未來 MW 等級 AI 資料中心不可或缺的技術。

英飛凌：功率半導體的全球領導者

英飛凌是全球主要功率半導體供應商之一，其產品線涵蓋了矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等多種功率元件，廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。隨著 AI 電力需求的快速增長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。

去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力，共同打造高效能、高功率密度的電源解決方案。

台達：積極佈局 SST 技術

值得注意的是，台達近年來在 SST 技術方面也進行了大量投資。台達總裁張訓海在今年的 GTC 2026 上表示，公司早早就開始研發 SST 技術，目前正積極推動 800 V 電源架構，預計 SST 最遲將於 2027 年迎來市場爆發。

台達在 SST 領域的早期佈局，使其在未來 AI 資料中心電力基礎設施的競爭中佔據有利位置。

從產業面來看，台達與英飛凌的合作不僅能夠加速碳化矽技術的商業化應用，還能進一步提升 AI 資料中心的電力效率和可靠性。隨著 800 V HVDC 和 SST 技術的普及，這兩家企業的合作將成為行業轉型的重要驅動力。

展望與影響

市場普遍認為，如果台達與英飛凌的合作進一步深化至碳化矽領域，將有助於台達在 SST 和下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件方面取得更多突破。這不僅將提升台達在市場上的競爭地位，還將推動整個電力電子產業的技術進步。

對於業界來說，這是一次值得關注的合作，它可能成為 AI 資料中心電力基礎設施發展的重要里程碑。

如果你對 AI 資料中心的電力基礎設施發展感興趣，不妨關注台達與英飛凌的下一步動作，這可能會對未來的市場格局產生重大影響。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

台達與英飛凌合作的主要領域是什麼？

台達與英飛凌合作的主要領域是碳化矽（SiC）功率元件和高功率密度垂直供電（VPD）模組。

碳化矽（SiC）有哪些優勢？

碳化矽具有耐高壓、高效率及低損耗等優勢，能夠顯著提升中高壓電力轉換效率。

800 V 高壓直流（HVDC）有何重要性？

800 V 高壓直流（HVDC）是新一代供電架構的發展方向，能夠支持更高功率的 AI 資料中心機櫃。

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