根據摩根士丹利（大摩）的最新報告指出，2026 年的 SEMICON China 展會再次印證，中國在半導體產能擴張及國產設備替代的進程上，正按照既定計畫穩健推進，這為本土晶圓製造設備（WFE）供應商帶來了長期且強勁的需求。這份報告深入剖析了記憶體與先進邏輯製程的發展現況，並點出主要本土設備廠的關鍵突破，預期相關業者將持續受惠於這波成長浪潮。

中國記憶體產能擴張與本土設備需求

數據發現：在記憶體領域，長江存儲與長鑫存儲兩大巨頭正積極推進其產能擴張計畫。據大摩觀察，兩家公司各自規劃建設一座月產能達 10 萬片晶圓的晶圓廠，分別為長江存儲的 Fab 3 與長鑫存儲的上海廠。相關設備採購預計將在約 18 個月內完成。其中，長江存儲預期今年將完成 Fab 2 的量產爬坡，並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場；而長鑫存儲在 2026 年的訂單動能更為強勁，其產能擴張主要聚焦於 DDR5 技術。數據顯示，預計 2026 年長江存儲將新增 2.5 萬片產能，長鑫存儲則將新增 6 萬片產能。

解讀意義：摩根士丹利（大摩）在報告中明確指出：

「隨著 3D NAND 層數的不斷提升，以及記憶體技術從 DDR4 過渡至 DDR5，每單位晶圓所需的設備價值顯著提高，這為本土設備廠的營收成長提供了堅實的支撐。」

這不僅反映了技術升級對設備需求的帶動，也凸顯了本土供應鏈在其中扮演的關鍵角色。

產業影響：在設備進口週期縮短與技術升級加速的雙重驅動下，中國本土晶圓製造設備供應商的需求將呈現長期成長趨勢。這也意味著，未來記憶體產業的發展將與本土設備供應商的成長緊密相連。

先進邏輯製程動能強勁與技術突破

數據發現：先進邏輯製程的產能擴張動能同樣不容小覷。根據 SEMICON China 現場的觀察，除了中芯南方（SMIC South）之外，已有數座晶圓廠正積極投入先進製程節點的擴產。摩根士丹利預期，中芯國際的 N+2 製程節點產能將在 2026 年達到每月 4 萬片晶圓，並計畫於 2027 年進一步擴張。

解讀意義：報告進一步指出，在研發資源共享與人才流動的推動下，多重曝光（multi-patterning）技術可能不再是中芯南方獨有的優勢。這代表中國半導體產業在先進製程的技術普及與自主研發上，正展現出更廣泛的發展潛力。

產業影響：這種趨勢不僅強化了中國在先進製程領域的佈局，也可能加速相關技術的國產化進程，進而影響全球半導體供應鏈的版圖。

本土半導體設備廠的產品創新與市場滲透

數據發現：在此次 SEMICON China 展會中，中國本土半導體設備廠展現了多項具指標意義的產品突破。例如，中微半導體推出了多款新產品，包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備，以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機。此外，北方華創、拓荊科技（Piotech）等領先的薄膜沉積設備廠商，在 PVD 與 PECVD 設備上取得了量產突破，並在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面也有所進展。

解讀意義：摩根士丹利認為：

「中國本土設備在成熟製程與記憶體晶圓廠的滲透率正持續提升，這得益於各製程環節產品競爭力的全面改善。」

這顯示本土設備供應商不僅在數量上增加，在技術品質與市場接受度上也取得了實質進步。

產業影響：隨著記憶體與晶圓代工產能的持續擴張，北方華創與中微半導體預計將在蝕刻與沉積設備需求中顯著受益。同時，盛美半導體也將隨著本土設備採用率的提升與製程多元化趨勢，持續擴大其成長動能。大摩對這三間公司的表現給予高度肯定，並評級為「優於大盤」。

數據背後的啟示

綜合摩根士丹利的分析與 SEMICON China 的觀察，中國半導體產業的擴張並非一時之熱，而是有著明確的長期戰略與執行路徑。從記憶體到先進邏輯製程，再到本土設備的技術突破與市場滲透，每一個環節都顯示出強勁的發展勢頭。這不僅鞏固了中國在全球半導體供應鏈中的地位，也為本土半導體設備廠商提供了前所未有的成長機遇。這股國產替代的浪潮，預計將持續重塑全球半導體產業的競爭格局。