在當前全球半導體產業鏈不斷重塑的時代，中國半導體產業的快速擴張，究竟是挑戰還是充滿潛力的契機？特別是其本土設備供應鏈的發展，在國際情勢多變的背景下，其成長軌跡與未來走向，無疑是業界關注的焦點。根據美系外資摩根士丹利（大摩）的最新分析，中國半導體產能擴張與國產設備替代的進程，正按計畫穩步推進，這不僅印證了其發展決心，也為本土設備供應商勾勒出長線成長的藍圖。

現象觀察：SEMICON China 再證擴產浪潮

2026 年的 SEMICON China 展會，再次提供了觀察中國半導體產業脈動的絕佳視角。大摩報告指出，中國的半導體產能擴張計畫持續進行，尤其在記憶體與先進邏輯製程兩大領域，動能顯著。記憶體方面，長江存儲與長鑫存儲正積極推進產能擴張，兩家公司各自規劃建設一座月產 10 萬片晶圓的晶圓廠，分別為長江存儲的 Fab 3 與長鑫存儲的上海廠。這些設備採購預計在約 18 個月內完成。

長江存儲預期今年將完成 Fab 2 的量產爬坡，並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場。而長鑫存儲在 2026 年的訂單動能更為強勁，其產能擴張主要聚焦於 DDR5 技術。在先進邏輯製程方面，除了中芯南方（SMIC South），現場觀察也發現多座晶圓廠已投入先進製程節點的擴產。有趣的是，在研發資源共享與人才流動的推動下，多重曝光（multi-patterning）技術的應用範圍可能不再僅限於中芯南方，這預示著中國在先進製程領域的技術擴散正在加速。

「根據大摩在 SEMICON China 現場的觀察，中國半導體製造商的擴產決心堅定，特別是記憶體與先進邏輯製程的推進，顯示其對供應鏈自主化的追求。」

原因剖析：技術升級與國產替代雙重驅動

中國半導體產業的擴張並非單純的數量堆疊，其背後有著深刻的技術與市場邏輯。首先，設備進口週期與技術升級的加速，直接拉動了對本土晶圓製造設備（WFE）供應商的長期需求。其次，隨著 3D NAND 層數的不斷提升，以及 DDR4 向 DDR5 的技術過渡，單位晶圓所需的設備價值顯著提高，這為本土設備廠的營收成長提供了強勁支撐。例如，大摩預期 2026 年長江存儲將新增 2.5 萬片產能，而長鑫存儲則將新增 6 萬片產能。

再者，中國本土半導體設備廠在這次展會中，展現了多項具意義的產品突破。中微半導體推出了多款新產品，包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備，以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機。北方華創、拓荊科技（Piotech）等領先的薄膜沉積設備廠商，在 PVD 與 PECVD 設備上取得了量產突破，並隨著 3D NAND 與 DRAM 晶圓廠訂單的增加，在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面也取得進展。這些技術的成熟，正是國產替代進程加速的關鍵。

「大摩認為，中國本土設備在成熟製程與記憶體晶圓廠的滲透率持續提升，主要受惠於各製程環節產品競爭力的全面改善，這顯示其技術實力已逐步獲得市場認可。」

影響評估：本土供應鏈的市場重塑力

這波擴產潮對中國本土半導體供應鏈的影響是深遠的。隨著記憶體與晶圓代工產能的持續擴張，北方華創與中微半導體等公司，將直接受益於蝕刻與沉積設備需求的增長。同時，盛美半導體也將隨著本土設備採用率提升與製程多元化趨勢，持續擴大其成長動能。大摩對這三家公司的表現持樂觀態度，並給予「優於大盤」的評級，這無疑是對其市場潛力的高度肯定。

值得注意的是，中芯國際的 N+2 製程節點產能預期在 2026 年將達到每月 4 萬片晶圓（wpm），並於 2027 年進一步擴張。這不僅代表著中國在先進製程上的持續投入，也意味著本土設備在這些關鍵環節的應用將日益廣泛，進一步提升其市場佔有率與技術成熟度。可以預見，本土供應鏈將在未來中國半導體產業的發展中扮演越來越重要的角色，甚至可能重塑部分市場格局。

趨勢預測：未來競爭格局與關鍵挑戰

展望未來，中國半導體產業在本土設備的支持下，將持續朝著自主化與高端化邁進。本土設備採用率的提升與製程多元化，將是推動其長線成長的兩大引擎。然而，這條道路並非毫無挑戰。國際技術壁壘、人才競爭以及全球供應鏈的複雜性，都可能成為其前進的阻礙。不過，從 SEMICON China 展會所觀察到的強勁動能與技術突破，我們有理由相信，中國半導體產業正以其獨特的韌性與創新力，逐步構築起自己的產業生態。

總體而言，中國半導體擴產的趨勢已然確立，本土設備供應商正迎來前所未有的發展機遇。這不僅是對單一企業的利好，更是對整個中國半導體產業鏈自主可控能力的一次強力驗證。我們將持續關注，這股由內而外推動的力量，如何在全球半導體舞台上，寫下新的篇章。