根據摩根士丹利（大摩）的最新市場報告，SEMICON China 2026展會再度明確指出，中國半導體產業的產能擴張與國產設備替代進程正按既定計畫穩步推進。這份深度分析揭示了記憶體與先進邏輯製程領域的強勁動能，預期將為中國本土的晶圓製造設備（WFE）供應商，如北方華創、中微半導體等，帶來顯著的長期成長潛力。

記憶體產業的強勁脈動與本土設備需求

在記憶體領域，中國兩大巨頭長江存儲與長鑫存儲正持續推進其產能擴張計畫，這不僅加速了設備進口週期，也推動了技術升級，進而帶動對本土晶圓製造設備的長期需求。大摩報告指出，兩家公司均各自規劃建設一座月產能達 10 萬片晶圓的全新晶圓廠，分別為長江存儲的 Fab 3 與長鑫存儲的上海廠。

摩根士丹利分析師觀察，相關設備採購預計將在約 18 個月內完成。其中，長江存儲預期今年將完成 Fab 2 的量產爬坡，並計畫於下半年啟動 Fab 3 的設備進場。而長鑫存儲在 2026 年的訂單動能更為強勁，其產能擴張主要聚焦於 DDR5 技術。

隨著 3D NAND 層數的提升以及 DDR4 向 DDR5 的技術過渡，單位晶圓所需的設備價值顯著提高，這無疑為本土設備廠的營收成長提供了堅實支撐。據大摩預期，2026 年長江存儲將新增 2.5 萬片產能，而長鑫存儲則將新增 6 萬片產能，這些增量將直接轉化為對國產設備的龐大訂單。

先進邏輯製程的突破與國產化進程

除了記憶體，中國在先進邏輯製程方面的產能擴張動能同樣不容小覷。大摩透過 SEMICON China 現場的觀察發現，除了中芯南方（SMIC South），已有多座晶圓廠投入先進製程節點的擴產。這顯示出中國半導體產業在追求技術自主上的決心與進展。

摩根士丹利報告中提到，在研發資源共享與人才流動的推動下，多重曝光（multi-patterning）技術可能不再僅限於中芯南方，這意味著中國在先進製程的技術普及度正逐步提高。目前預期中芯國際的 N+2 製程節點產能，在 2026 年將達到每月 4 萬片晶圓，並計畫於 2027 年進一步擴張。

這項進展不僅體現了中國在先進製程技術上的努力，也預示著未來更多本土晶圓廠將能掌握更為複雜的製造工藝，進一步鞏固其在全球半導體供應鏈中的地位。

本土設備商的關鍵技術躍進與市場滲透

本次 SEMICON China 展會上，中國本土半導體設備廠展現了多項具意義的產品突破，印證了其在技術創新上的顯著進步。例如，中微半導體推出了多款新產品，包括針對 3D 記憶體的高選擇比蝕刻設備，以及一款已進入客戶端現場驗證階段的 ICP 蝕刻機。

同時，北方華創、拓荊科技（Piotech）等國內領先的薄膜沉積設備廠商，也在 PVD 與 PECVD 設備上取得了量產突破。隨著來自 3D NAND 與 DRAM 晶圓廠的訂單增加，這些廠商在先進封裝後段設備的技術驗證與量產出貨方面也有所進展，顯示出其產品競爭力的全面提升。

大摩認為，中國本土設備在成熟製程與記憶體晶圓廠的滲透率正持續提升，這得益於各製程環節產品競爭力的全面改善。隨著記憶體與晶圓代工產能持續擴張，北方華創與中微半導體將在蝕刻與沉積設備需求中直接受益。而盛美半導體則可望隨著本土設備採用率提升與製程多元化趨勢，持續擴大成長動能。摩根士丹利看好這三間公司的表現，並給予「優於大盤」的評級，彰顯了對中國本土半導體設備產業的信心。

數據背後的啟示

綜合摩根士丹利的分析，SEMICON China 2026所揭示的中國半導體產業動向，清晰勾勒出一個產能持續擴張、技術加速升級的發展路徑。尤其在記憶體與先進邏輯製程領域，龐大的投資與明確的建設時程，為本土設備商提供了前所未有的市場機遇。這不僅是中國半導體供應鏈韌性提升的體現，更是國產設備在全球市場上嶄露頭角的關鍵轉捩點。隨著技術壁壘的逐步突破，中國本土設備商的成長潛力將更加不容忽視。