記憶體市場下半年持續受惠於 AI 需求帶動，但 DRAM 與 Flash 的漲價節奏卻呈現分歧。業界普遍認為，DRAM 供給缺口仍未改善，下半年合約價仍有雙位數漲幅，尤其 DDR4 在第三季漲勢可能超過三成。反觀 NAND Flash，雖然需求持續，但價格漲幅已逐步進入高原期，第三季預估漲幅約一成多，短期追漲力道不及 DRAM。

DRAM 合約價漲勢強勁

根據業界分析，市場原先預期第三季 DRAM 合約價約季增 13% 至 18%，但 DDR4 供需仍比預期吃緊。企業與工控市場仍大量使用 DDR4，且因 DDR5 價格仍偏高，對許多中低階 PC 或成本敏感的應用而言，DDR4 仍是性價比更高的選擇。此外，CSP 業者為確保供貨，願意接受更高價格，並洽談 1 至 2 年鎖定供貨量的長約，進一步推升 DDR4 第三季價格。

NAND Flash 價格進入高原期

產業人士指出，AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用仍持續推升 NAND Flash 需求，整體基本面並未轉弱。成熟型 Flash 包括 SLC/MLC NAND 及 NOR Flash 仍受惠供給缺口，價格維持上漲趨勢。然而，若觀察整體 NAND 市場，包括 3D NAND、Client SSD 及 Enterprise SSD 等產品，漲幅已較 DRAM 明顯收斂。有業者預期第三季平均漲幅約一成多，第四季也可能再放緩，價格可能逐漸進入高原整理階段。

市場背景與展望

業界指出，目前記憶體市場仍維持 DRAM 強於 Flash 的格局。HBM、DDR5 及 LPDDR5X 等高階產品持續排擠成熟 DRAM 產能，使 DDR4 供給缺口短期難以補足。相較之下，Flash 雖受 AI 新增需求支撐，供需結構相對健康，但供給彈性仍高於 DRAM，因此價格走勢趨於平穩。

從產業面來看，DRAM 的漲勢主要由高階應用需求驅動，而 NAND Flash 則受到供給彈性的影響，價格漲幅逐漸放緩。投資者應關注各類記憶體產品的供需變化，以做出更精準的投資決策。

面對 DRAM 和 NAND Flash 不同的市場走向，投資者和業界人士需要密切關注供需變化，特別是在 AI 需求持續增長的背景下。了解各類記憶體產品的價格走勢，有助於做出更明智的投資和業務規劃。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

DRAM 和 NAND Flash 的主要差異是什麼？

DRAM 主要用於主記憶體，速度快但易失，適合處理即時數據；NAND Flash 是非易失性記憶體，適用於儲存大量數據，如固態硬碟。

為什麼 DDR4 價格在第三季仍看漲？

DDR4 供需比預期吃緊，企業與工控市場仍大量使用 DDR4，且 DDR5 價格偏高，使 DDR4 成為更具性價比的選擇。

NAND Flash 價格為何進入高原期？

NAND Flash 需求持續，但供給彈性高於 DRAM，導致價格漲幅放緩，第三季預估漲幅約一成多。

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